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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C2V7-TR
| Artikelnummer: | BZM55C2V7-TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ZENER 2.7V 500MW MICROMELF |
| Datenblätte: |
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| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C2V7-TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZM55C2V7-TR.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 2.7 V Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 200 mA Toleranz - Supplier Device-Gehäuse MicroMELF Serie Automotive, AEC-Q101, BZM55 Leistung - max 500 mW Verpackung / Gehäuse 2-SMD, No Lead Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 600 Ohms Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 1 V Grundproduktnummer BZM55C2V7 BZM55C2V7-TR Einzelheiten PDF [English] BZM55C2V7-TR PDF - EN.pdf -
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